TR EN
EE 411 RF Entegre Devreler I Select Term:
Bu derste öğrenciler; RF tümleşik devrelerinin temelleri, performans metrikleri, yarı iletken teknolojileri, aktif ve pasif bileşenler ile paketleme konularında bilgi edinir; kazanç, gürültü, doğrusallık, empedans uyumlama, bant genişliği ve kararlılık kavramlarını kullanarak RF devrelerini analiz eder; düşük gürültülü yükselteçler (LNA'lar), RF anahtarları, zayıflatıcılar, değişken kazançlı yükselteçler ve faz kaydırıcılar gibi RF ön uç (front-end) yapı taşları için teknik gereksinimlere dayalı devre tasarımları geliştirir; endüstri standardı CAD araçlarını ve elektromanyetik (EM) simülasyon ortamlarını kullanarak RF tümleşik devrelerini tasarlar, simüle eder ve optimize eder; RF devre yerleşimlerini (layout) oluşturup parazitik etkilerin, üretim süreci değişimlerinin ve paketlemenin devre performansı üzerindeki etkilerini değerlendirir; sistem düzeyi gereksinimleri devre düzeyi teknik özelliklere dönüştürüp kapsamlı simülasyon ve analizlerle tasarım performansını doğrular ve son olarak, tasarım projeleri ve teknik dokümantasyon aracılığıyla tümleşik RF devre tasarımı konusunda pratik uzmanlık kazanır.
SU Kredi : 3.000
AKTS Kredi : 6.000
Ön Koşul : Undergraduate level EE 306 Minimum Grade of D
Yan Koşul : EE 411L
Home

Orta Mahalle, 34956 Tuzla, İstanbul, Türkiye

Telefon: +90 216 483 90 00

Fax: +90 216 483 90 05

© Sabancı Üniversitesi 2023