Ders, CMOS ve SiGe BiCMOS teknolojileri kullanarak RF entegre devrelerin tasarım methodlari üzerine olup, ayrıca, farklı RF teknolojilerinide birbirleri ile karşılaştırır. Ders kapsamında temel RF parametreleri ve metrikleri (s-parametreleri, doğrusal olmayan hareket, hassasiyet, gürültü faktörü, giriş ve çıkış dinamik aralık, gibi) özetlenir. Bu metrikleri ve temel devre tasarım yöntemleride kullanılarak, farklı RF entegre devre tasarlama yöntemleri öğretilir (Low Noise Amplifiers, Mixers, Oscillators, Frequency Synthesizers, and Power Amplifiers, Phase Shifters, Attenuators, gibi). Bu öğretim, ayrıca, lab uygulamaları ile, simulasyon/tasarım araçları (Cadence, ADS, Momentum, Sonnet gibi) kullanarak, belirtilen devrelerin tasarlanması ve ölçülmesi ile devam eder.