Ders, CMOS ve SiGe BiCMOS teknolojileri
kullanarak RF entegre devrelerin tasarım methodlari
üzerine olup, ayrıca, farklı RF teknolojilerinide
birbirleri ile karşılaştırır. Ders kapsamında temel RF
parametreleri ve metrikleri (s-parametreleri, doğrusal
olmayan hareket, hassasiyet, gürültü faktörü, giriş ve
çıkış dinamik aralık, gibi) özetlenir. Bu metrikleri ve
temel devre tasarım yöntemleride kullanılarak, farklı
RF entegre devre tasarlama yöntemleri öğretilir (Low
Noise Amplifiers, Mixers, Oscillators, Frequency
Synthesizers, and Power Amplifiers, Phase Shifters,
Attenuators, gibi). Bu öğretim, ayrıca, lab
uygulamaları ile, simulasyon/tasarım araçları
(Cadence, ADS, Momentum, Sonnet gibi) kullanarak,
belirtilen devrelerin tasarlanması ve ölçülmesi ile
devam eder.
|