Skip to main content
TR EN

Course Catalog

EE 411 RF Entegre Devreler 3 SU Kredi
Ders, CMOS ve SiGe BiCMOS teknolojileri kullanarak RF entegre devrelerin tasarım methodlari üzerine olup, ayrıca, farklı RF teknolojilerinide birbirleri ile karşılaştırır. Ders kapsamında temel RF parametreleri ve metrikleri (s-parametreleri, doğrusal olmayan hareket, hassasiyet, gürültü faktörü, giriş ve çıkış dinamik aralık, gibi) özetlenir. Bu metrikleri ve temel devre tasarım yöntemleride kullanılarak, farklı RF entegre devre tasarlama yöntemleri öğretilir (Low Noise Amplifiers, Mixers, Oscillators, Frequency Synthesizers, and Power Amplifiers, Phase Shifters, Attenuators, gibi). Bu öğretim, ayrıca, lab uygulamaları ile, simulasyon/tasarım araçları (Cadence, ADS, Momentum, Sonnet gibi) kullanarak, belirtilen devrelerin tasarlanması ve ölçülmesi ile devam eder.
Acilan Donemler Ders Ismi SU Kredi
Güz 2023-2024 RF Entegre Devreler 3
Güz 2022-2023 RF Entegre Devreler 3
Güz 2021-2022 RF Entegre Devreler 3
Güz 2020-2021 RF Entegre Devreler 3
Güz 2019-2020 RF Entegre Devreler 3
Onkosul: EE 306 - Lisans - En Az D
Yankosul: EE 411L
ECTS Kredi: 6 ECTS (6 ECTS for students admitted before 2013-14 Academic Year)
Genel Kosullar :